栅漏负载共源放大器的直观分析

采用MOSFET晶体管代替无源电阻负载，芯片面积可以明显节省且与无源负载相比，有源负载可以提供更高的阻值，从而获得更大的增益。

有源负载有：

1. 栅-漏负载（ Gate-Drain-Connected Loads ） ：可以为放大器提供大带宽、低输出阻抗，但代价是增益降低。
2. 电流源负载（ Current Source Loads ） ：可以使放大器具有很高的增益和输出输出阻抗，但代价是带宽减小。

PS.栅漏负载可以看作阻值是1/gm的电阻。

栅漏负载共源放大器直观分析方法：

小信号增益=-漏端电阻/源端电阻

PS.

1. 漏端电阻：连接放大管漏端的电阻阻值
   

2. 源端电阻：从放大管源端看进去的电阻（1/gm）
   

漏端电阻=(1/gm2)并Rl（注意在小信号中，VDD是交流的地）

源端电阻=(1/gm1)+Rs

其实不一定只有采用栅漏负载的共源放大器才能使用这种直观方式。

采用电流源负载的共源放大器也可用该直观方式分析。

(共源共栅代替M2可以提高增益)

《cmos circuit design layout and simulation》21.2.1

• 高阻节点：通常有与之相关的低频极点

• 低阻节点：限制了放大器的速度