采用MOSFET晶体管代替无源电阻负载,芯片面积可以明显节省且与无源负载相比,有源负载可以提供更高的阻值,从而获得更大的增益。
有源负载有:
- 栅-漏负载( Gate-Drain-Connected Loads ) :可以为放大器提供大带宽、低输出阻抗,但代价是增益降低。
- 电流源负载( Current Source Loads ) :可以使放大器具有很高的增益和输出输出阻抗,但代价是带宽减小。
PS.栅漏负载可以看作阻值是1/gm的电阻。
小信号增益=-漏端电阻/源端电阻
PS.
漏端电阻:连接放大管漏端的电阻阻值
源端电阻:从放大管源端看进去的电阻(1/gm)
漏端电阻=(1/gm2)并Rl(注意在小信号中,VDD是交流的地)
源端电阻=(1/gm1)+Rs
其实不一定只有采用栅漏负载的共源放大器才能使用这种直观方式。
采用电流源负载的共源放大器也可用该直观方式分析。
(共源共栅代替M2可以提高增益)
《cmos circuit design layout and simulation》21.2.1
高阻节点:通常有与之相关的低频极点
低阻节点:限制了放大器的速度
没有评论:
发表评论
谢谢您的留言^_^